Samsung avvia la produzione in serie di memorie DDR5 con una capacità fino a 768 GB e una velocità di 7200 Mbps

Samsung ha avviato la produzione di massa della memoria DDR5 prodotta con un nodo EUV a 14 nm. Attualmente, questa memoria è destinata a server, supercomputer e server per grandi aziende e offre più del doppio delle prestazioni della memoria DDR4.

Secondo Samsung, il nuovo nodo di elaborazione aiuterà la memoria DDR5 a 14 nm di Samsung a raggiungere un aumento senza precedenti delle velocità complessive. Attualmente, il processo EUV a 14 nm aumenterà la velocità fino a 7,2 Gbps, che è più del doppio della velocità offerta dalla memoria DDR4 di 3,2 Gbps. L’azienda si concentra sulla produzione di memoria DDR5 a 14 nm per data center, supercomputer e applicazioni server aziendali. Ciò consentirà all’azienda di espandere la gamma di memoria DDR5 da 512 GB a 1 TB a 768 GB e 1,5 TB.

Il processo a 14 nm può aiutare a ridurre il consumo energetico di circa il 20%.

“Abbiamo guidato il mercato delle DRAM per quasi tre decenni con innovazioni tecnologiche pionieristiche”, ha affermato Jooyoung Lee, Vicepresidente senior e Direttore della tecnologia e dei prodotti DRAM di Samsung Electronics. “Oggi Samsung sta impostando un’altra svolta tecnologica con la sua tecnologia EUV multistrato che ha consentito la miniaturizzazione estrema a 14 nm, un’impresa non possibile con il processo convenzionale al fluoruro di argon (ArF). Basandoci su questo progresso, continueremo a offrire la memoria più differenziata soluzioni rispondendo alla necessità di prestazioni e capacità più elevate al mondo interamente basate su dati 5G, intelligenza artificiale e metaverso.

Poiché la DRAM continua a ridurre la tecnologia di produzione a 10 nm, la tecnologia EUV diventa sempre più importante per migliorare la qualità e ottenere prestazioni più elevate. Applicando cinque strati EUV alla DRAM a 14 nm, Samsung ha ottenuto una maggiore densità di bit migliorando al contempo il throughput complessivo del chip di circa il 20%. Inoltre, il processo a 14 nm può aiutare a ridurre il consumo energetico di circa il 20% rispetto alla precedente generazione di nodi DRAM (DDR4).